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芯长源微缩时代流体直写方案
ONEWTECH 引领芯片制造新范式

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2026 量产开启微缩制造新局

半导体产业正经历从平面微缩向立体堆叠的范式转移,封装工艺精度要求跃升至亚微米级。芯长源精准切入技术真空区,确立微缩化时代流体直写领域的战略主导地位。

2023
全球研发销售网格构建
成立于苏州,构建上海、仙台及香港研发网络,汇聚流体控制顶级专家。
2024
INK JET 研发突破
成功研发新一代直写打印技术,突破传统压电喷头在微小液滴控制上的瓶颈。
2025
工程样机测试成功
全球首台工程样机验证了其在更小尺寸芯片与更高精度作业下的卓越性能。
2026.10
量产设备投入测试
首台量产设备投入产线,成功完成小尺寸芯片 Under Fill 底部填充工艺测试。
01
应对市场供需缺口
满足先进封装扩产需求,解决大尺寸芯片时代的传统设备惯性依赖。
02
新兴领域定制化
针对 Mini LED、量子转换、MEMS 及 L-COS 提供定制化直写能力。
03
工艺量产确定性
提供从工艺验证到量产的保障,改变依赖进口且难适配新材料的局面。

5pl 极致精度与万频喷涂革命

最小出胶量
5pl
超高喷涂频率
20,000次/秒
  • 精度超越行业标准

    远超行业7pl标准,高粘度胶水适应性实现质的飞跃。

    极短时间内完成数亿次精准沉积,解决产能瓶颈。

  • 多喷头并行架构

    创新性采用单台设备多喷头并行架构。

    打破传统单喷头效率天花板,实现大面积同步直写。

  • Mini LED 巨量转移
    大面积同步直写,生产节拍缩短40%以上。
  • 2.5D/3D 先进封装
    非接触式喷射,误差控制在±0.01mm以内。
  • 生物医疗与 MEMS
    波形优化维持分子完整,避免材料变性。
  • 更高性能胶水直喷
    支持全新UV胶水直喷,直接处理高端底填胶。

日本合作验证 Under Fill 工艺

在先进封装领域,底部填充工艺的稳定性直接决定了芯片在热循环与机械应力下的可靠性。

  • 99.98%
    填充覆盖率
  • <0.01%
    气泡残留率
  • 0.07mm
    最小涂布间距/缝隙
  • 日本合作与极限测试
    与日本多家顶级胶水制造商深度合作。在仙台研发中心进行18个月极限压力测试,成功攻克小尺寸芯片高密度阵列下的溢胶与空洞难题。
  • Mini LED COB 封装突破
    凭借 5pl 精准控胶能力,实现胶水在芯片边缘毛细作用区域内精确沉积,避免超高密度布局下传统点胶造成的胶水桥连、光学串扰或电气短路。
  • 2.5D / HBM 堆叠解决方案
    针对硅中介层与 HBM 堆叠结构,专属直写工艺配方有效解决了多层堆叠导致的应力集中问题,显著提升了模组整体的机械强度与散热效率。
  • 准入通行证与整体解决方案
    输出"设备+材料+工艺"整体解决方案,相关数据已纳入多家头部晶圆厂审核体系,标志着国产设备首次在国际顶尖材料体系中获得"准入通行证"。